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產品詳細頁
掃描場發射電鏡

掃描場發射電鏡

  • 訪問量:577
  • 更新日期:2021-08-20
  • 產品介紹:掃描場發射電鏡:為具有環境真空功能的靈活、多功能高分辨率掃描電鏡,可以將成像和分析全面性能與環境模式(ESEM)相結合,使得樣品研究得以在自然狀態下進行。
  • 廠商性質:代理商

產品介紹

品牌FEI/賽默飛價格區間面議
儀器種類場發射應用領域化工,石油

掃描場發射電鏡簡介:

       為具有獨特環境真空功能的靈活、多功能高分辨率掃描電鏡,可以將成像和分析全面性能與環境模式(ESEM)相結合,使得樣品研究得以在自然狀態下進行。

     場發射電子槍(FEG)確保了優異的分辨率,通過不同的探測器選項,可以調節不同襯度信息,包括定向背散射、STEM和陰極熒光信息。來自多個多個探測器和探測器區分的圖像可以同步采集和顯示,使得單次掃描即可獲得樣品信息,從而降低電子束敏感樣品的束曝光并實現真正額動態試驗。Quattro的三種真空模式使得系統具有靈活性,可以容納廣泛的樣品類型,無論樣品導電、絕緣、潮濕或是在高溫條件下,均可獲得可靠的分析結果。Quattro獨特的硬件有用戶向導支持,不僅可以指導操作者,還可以直接進行交換,輕松縮短結果獲取時間。

掃描場發射電鏡參數:

金屬及合金、斷口、焊點、拋光斷面、磁性及超導材料
陶瓷、復合材料、塑料
薄膜/涂層
地質樣品斷面、礦物
軟材料:聚合物、藥物、濾膜、凝膠、生物組織、植物材料
顆粒、多孔材料、纖維
水合/脫水/濕潤/接觸角分析
結晶/相變
氧化/催化
材料生成
拉伸(伴隨加熱或冷卻)


發射源:高穩定型肖特基場發射電子槍

分辨率:

型號

Quattro C

Quattro S

高真空

30kV(SE)

1.0nm

1kV(SE)

3.0nm

低真空

30kV(SE)

1.3nm

3kV(SE)

3.0nm

30kV(BSE)

2.5nm

環境掃描模式

30kV(SE)

1.3nm


放大倍率:6 ~ 2,500,000×
加速電壓范圍:200V ~ 30kV
探針電流范圍:1pA – 200nA,連續可調
X-Ray工作距離:10mm,EDS檢出角35°
樣品室:從左至右為340mm寬的大存儲空間,樣品室可拓展接口數量12個,含能譜儀接口3個(其中2個處于180°對角位置)


樣品臺和樣品:

探測器系統:

同步檢測多達四種信號,包括

樣品室高真空二次電子探測器ETD
低真空二次電子探測器LVD
氣體SED(GSED,用于環境掃描模式)
樣品室內IR-CCD紅外相機(觀察樣品臺高度)
可用于樣品導航的彩色光學相機Nav-Cam™


控制系統:
操作系統:64為GUI(Windows10)、鍵盤、光學鼠標
圖像顯示:24寸LCD顯示器,WUXGA 1920×1200
定制化的圖像用戶界面,可同時激活多達4個視圖
導航蒙太奇
軟件支持Undo和Redo功能


特點與用途:

     在自然狀態下對材料進行預案為研究,具有環境真空模式(ESEM)的獨特高分辨率場發射掃描電鏡;

     縮短樣品制備時間:低真空和環境真空技術可針對不導電和/或含水樣品直接成像和分析,樣品表面無荷電累積;
     在各種操作模式下分析導電和不導電樣品,同步獲取二次電子像和背散射電子像;
優良的分析性能,樣品倉可同時安裝3三個EDS探測器,其中2個EDS端口分開180°、WDS和共勉EDS/EBSD;
      針對不導電樣品的分析性能:憑借“壓差真空系統"實現低真空模式下的EDS和EBSD分析;
      靈活、準確的優中心樣品臺,105°傾斜角度范圍,可多方位觀察樣品;
軟件直觀、簡便易用,并配置用戶向導及Undo(撤銷)功能,操作步驟減少,分析更快速;
      全新創新選項,包括可伸縮RGB陰極熒光(CL)探測器、1100℃高真空熱臺和AutoScript。


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